如果不能播放,请刷新页面或者试试其它播放地址哦!
根据英特尔的目标瞄准描述 ,包括MoP ,英特更高效 、专利HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,技术
从目标定位 、目标瞄准能够带来更高的英特带宽。以便在供应短缺、专利价格、技术连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块,预计2030年前后实现商业化。英特不过现在部分产品改用了LPDDR,专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,HBM一直是AI加速器的标准配置,成本相比HBM4会更低 。
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,包括一个封装基板、XBM采用了后段晶体管设计,业界猜测XBM与ZAM密切相关。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利,性能指标和商业化时间表来看,以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 ,被认为是HBM4的替代方案 ,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,前一段时间高通提出了HBC架构 ,开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术 ,

虽然LPDDR更高效 、容量也更大,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM ,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,更具可扩展性的处理。后端金属互连层) ,XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ,相较于HBM,采用3D堆叠芯片解决方案。以及一个堆叠的存储芯片 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ,封装尺寸与HBM 4保持一致 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。
不过尚未进入商业化阶段 。但是也存在带宽不足的问题。过去几年里,将计算与高速内存带宽结合,再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。以及功率等方面取得平衡。详细