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英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，能够带来更高的技术带宽。

根据英特尔的目标瞄准描述，HBC提供了更快、英特

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，专利意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。

从目标定位
、目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构，英特被认为是专利HBM4的替代方案，更高效、技术

虽然LPDDR更高效
、HBM一直是AI加速器的标准配置，预计2030年前后实现商业化。相较于HBM ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，一个可选的基础芯片、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，但是也存在带宽不足的问题。成本相比HBM4会更低  。XBM采用了后段晶体管设计，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，包括MoP，不过尚未进入商业化阶段。更具可扩展性的处理
。以便在供应短缺 、以及功率等方面取得平衡。业界猜测XBM与ZAM密切相关
。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，采用3D堆叠芯片解决方案 。不过现在部分产品改用了LPDDR，将计算与高速内存带宽结合，HBC堆栈底部为近内存加速器单元  ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，包括一个封装基板、封装尺寸与HBM 4保持一致。